Produkte > ONSEMI / FAIRCHILD > FDBL86210-F085
FDBL86210-F085

FDBL86210-F085 onsemi / Fairchild


FDBL86210_F085_D-2312059.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A
auf Bestellung 1752 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.18 EUR
10+ 13.36 EUR
100+ 10.95 EUR
500+ 9.52 EUR
1000+ 8.01 EUR
2000+ 7.49 EUR
4000+ 7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDBL86210-F085 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 169A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote FDBL86210-F085

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDBL86210-F085 FDBL86210-F085 Hersteller : ONSEMI 3750005.pdf Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL86210-F085 FDBL86210-F085 Hersteller : ONSEMI 3750005.pdf Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL86210-F085 FDBL86210-F085 Hersteller : onsemi fdbl86210_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Produkt ist nicht verfügbar
FDBL86210-F085 FDBL86210-F085 Hersteller : onsemi fdbl86210_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Produkt ist nicht verfügbar