FDBL86361-F085 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 13.81 EUR |
| 10+ | 11.59 EUR |
| 100+ | 9.38 EUR |
| 500+ | 8.33 EUR |
| 1000+ | 7.14 EUR |
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Technische Details FDBL86361-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDBL86361-F085 nach Preis ab 7.28 EUR bis 14.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDBL86361-F085 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 4166 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDBL86361-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDBL86361-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDBL86361-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDBL86361-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDBL86361-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDBL86361-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L Application: automotive industry Power dissipation: 429W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: H-PSOF8L Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDBL86361-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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| FDBL86361-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L Application: automotive industry Power dissipation: 429W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: H-PSOF8L Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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