FDC3601N

FDC3601N onsemi / Fairchild


FDC3601N_D-2311965.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
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Technische Details FDC3601N onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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FDC3601N FDC3601N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
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Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
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Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDC3601N FDC3601N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDC3601N FDC3601N
Produktcode: 106119
fdc3601n-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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FDC3601N FDC3601N Hersteller : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDC3601N FDC3601N Hersteller : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDC3601N FDC3601N Hersteller : ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC3601N FDC3601N Hersteller : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC3601N FDC3601N Hersteller : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC3601N FDC3601N Hersteller : onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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FDC3601N FDC3601N Hersteller : onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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FDC3601N FDC3601N Hersteller : ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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