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Technische Details FDC606P onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V.
Weitere Produktangebote FDC606P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FDC606P | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDC606P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC606P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC606P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC606P Produktcode: 128958 |
IC > IC andere |
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FDC606P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC606P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC606P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -12V Drain current: -6A On-state resistance: 53mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC606P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V |
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FDC606P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -12V Drain current: -6A On-state resistance: 53mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Gate-source voltage: ±8V |
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