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Technische Details FDC6306P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDC6306P nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDC6306P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6306P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
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FDC6306P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V |
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FDC6306P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDC6306P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6306P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6306P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6306P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDC6306P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6306P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
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