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Technische Details FDC6310P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FDC6310P nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDC6310P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6310P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6310P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6310P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDC6310P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench |
auf Bestellung 5703 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDC6310P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
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FDC6310P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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FDC6310P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6310P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6310P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6310P | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 184mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC6310P | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 184mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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