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FDC6312P

FDC6312P ON Semiconductor

3647608593158311fdc6312p.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC6312P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDC6312P FDC6312P Hersteller : ONSEMI FDC6312P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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135+0.53 EUR
150+ 0.48 EUR
205+ 0.35 EUR
220+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 135
FDC6312P FDC6312P Hersteller : ONSEMI FDC6312P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
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FDC6312P FDC6312P Hersteller : onsemi fdc6312p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.53 EUR
6000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDC6312P FDC6312P Hersteller : onsemi / Fairchild FDC6312P_D-2312188.pdf MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL
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39+ 1.34 EUR
100+ 0.93 EUR
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1000+ 0.59 EUR
3000+ 0.5 EUR
9000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 34
FDC6312P FDC6312P Hersteller : onsemi fdc6312p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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FDC6312P FDC6312P Hersteller : ONSEMI fdc6312p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDC6312P FDC6312P Hersteller : ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDC6312P FDC6312P Hersteller : ON Semiconductor 3647608593158311fdc6312p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDC6312P FDC6312P Hersteller : ON Semiconductor 3647608593158311fdc6312p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
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