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Technische Details FDC637AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDC637AN nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDC637AN | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC637AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC637AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC637AN | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 1.6W Gate charge: 16nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 6.2A Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC637AN | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 1.6W Gate charge: 16nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 6.2A Kind of channel: enhanced |
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FDC637AN | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V |
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FDC637AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDC637AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.6W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC637AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC637AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDC637AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V |
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FDC637AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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