Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDC642P
FDC642P

FDC642P ON Semiconductor

fdc642p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.25 EUR
6000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDC642P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote FDC642P nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDC642P FDC642P Hersteller : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDC642P FDC642P Hersteller : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDC642P FDC642P Hersteller : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
539+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 539
FDC642P FDC642P Hersteller : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDC642P FDC642P Hersteller : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
238+0.67 EUR
266+ 0.57 EUR
270+ 0.55 EUR
350+ 0.4 EUR
357+ 0.38 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 238
FDC642P FDC642P Hersteller : onsemi / Fairchild FDC642P_D-2312131.pdf MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 6846 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.31 EUR
48+ 1.09 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.49 EUR
3000+ 0.42 EUR
9000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDC642P FDC642P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDC642P FDC642P Hersteller : ONSEMI 1863391.pdf Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDC642P FDC642P Hersteller : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDC642P Hersteller : onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.44 EUR
6000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDC642P Hersteller : onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
auf Bestellung 11728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.3 EUR
24+ 1.12 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDC642P FDC642P Hersteller : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDC642P Hersteller : ONSEMI fdc642p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: -4A
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDC642P Hersteller : ONSEMI fdc642p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: -4A
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar