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FDC645N

FDC645N ON Semiconductor

3664203776275720fdc645n.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC645N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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FDC645N FDC645N Hersteller : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC645N FDC645N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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133+ 0.54 EUR
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190+ 0.38 EUR
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FDC645N FDC645N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhanced
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FDC645N FDC645N Hersteller : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC645N FDC645N Hersteller : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC645N FDC645N Hersteller : onsemi / Fairchild FDC645N_D-2311906.pdf MOSFET SSOT-6 N-CH
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FDC645N FDC645N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDC645N FDC645N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDC645N FDC645N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDC645N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDC645N Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
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Mindestbestellmenge: 3000
FDC645N Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
auf Bestellung 3699 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+1.43 EUR
21+ 1.25 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDC645N FDC645N Hersteller : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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