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Technische Details FDC653N ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDC653N nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.6 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDC653N | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 56mΩ Power dissipation: 1.6W Gate charge: 16nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 56mΩ Power dissipation: 1.6W Gate charge: 16nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 5A Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7454 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V |
auf Bestellung 67563 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC653N - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | Hersteller : On Semiconductor/Fairchild |
N-CH 30V 5A SSOT-6 |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC653N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC653N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |