FDC6561AN ON Semiconductor
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Technische Details FDC6561AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDC6561AN | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC6561AN | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.5A On-state resistance: 152mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.2nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC6561AN | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.5A On-state resistance: 152mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.2nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 |
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FDC6561AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6561AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
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FDC6561AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
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FDC6561AN | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V |
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FDC6561AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDC6561AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 14485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6561AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6561AN Produktcode: 174745 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDC6561AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6561AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6561AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |