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Technische Details FDC658AP ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDC658AP nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.45 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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FDC658AP | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC658AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC658AP | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET |
auf Bestellung 31532 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDC658AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658AP | Hersteller : Fairchild |
P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDC658AP | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V |
auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDC658AP Produktcode: 123114 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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FDC658AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC658AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC658AP | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 4 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.6 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 1.6 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FDC658AP | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 1.6 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FDC658AP | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.6W Gate charge: 8.1nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: -4A Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDC658AP | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V |
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FDC658AP | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.6W Gate charge: 8.1nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: -4A Kind of channel: enhanced |
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