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FDC8601

FDC8601 onsemi

fdc8601-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
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Technische Details FDC8601 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V.

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FDC8601 FDC8601 Hersteller : ON Semiconductor 3658144373936953fdc8601.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC8601 FDC8601 Hersteller : ON Semiconductor 3658144373936953fdc8601.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC8601 FDC8601 Hersteller : onsemi fdc8601-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
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FDC8601 FDC8601 Hersteller : onsemi / Fairchild FDC8601_D-2311908.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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500+ 1.81 EUR
1000+ 1.48 EUR
3000+ 1.39 EUR
6000+ 1.32 EUR
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FDC8601 FDC8601 Hersteller : ON Semiconductor 3658144373936953fdc8601.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC8601 Hersteller : ONSEMI fdc8601-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC8601 FDC8601 Hersteller : ON Semiconductor 3658144373936953fdc8601.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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