FDD3510H

FDD3510H

Hersteller: ON Semiconductor

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Technische Details FDD3510H

Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.3W, FET Type: N and P-Channel, Common Drain, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Obsolete.

Preis FDD3510H ab 0 EUR bis 0 EUR

FDD3510H
Hersteller: ONSEMI
Material: FDD3510H Multi channel transistors
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Material: FDD3510H Multi channel transistors
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FDD3510H
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
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FDD3510H
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
FET Type: N and P-Channel, Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
FET Type: N and P-Channel, Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
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