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Technische Details FDD3690 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote FDD3690
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FDD3690 | Hersteller : FAIRCHILD | 07+ TO-252 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD3690 | Hersteller : FAIRCHILD | D-PAK/ TO-252 |
auf Bestellung 9500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD3690 | Hersteller : FAIRCHILD | TO-252 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD3690 | Hersteller : fairchild | to-252/d-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD3690 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD3690 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD3690 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD3690 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V |
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