FDD390N15A ON Semiconductor
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 1.35 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDD390N15A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V.
Weitere Produktangebote FDD390N15A nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD390N15A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET PT5 100/20V NCH |
auf Bestellung 34254 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD390N15A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDD390N15A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
FDD390N15A Produktcode: 101241 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||||
|
|
FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FDD390N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FDD390N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V |
Produkt ist nicht verfügbar |