FDD3N40TM

FDD3N40TM

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD3N40TM

Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Preis FDD3N40TM ab 0.41 EUR bis 2.36 EUR

FDD3N40TM
Hersteller: ONSEMI
Material: FDD3N40TM SMD N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3N40TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 400V N-CH MOSFET
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Hersteller: ON
N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak Trans. FDD3N40TM DPAK TFDD3n40tm
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ONSEMI
Material: FDD3N40TM SMD N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 400V N-CH MOSFET
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FDD3N40TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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FDD3N40TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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