FDD3N40TM
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Technische Details FDD3N40TM
Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.
Preis FDD3N40TM ab 0.41 EUR bis 2.36 EUR
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FDD3N40TM Hersteller: ONSEMI Material: FDD3N40TM SMD N channel transistors 
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FDD3N40TM Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 400V N-CH MOSFET
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FDD3N40TM Hersteller: ON N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak Trans. FDD3N40TM DPAK TFDD3n40tm Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3N40TM Hersteller: ONSEMI Material: FDD3N40TM SMD N channel transistors
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2418 Stücke |
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FDD3N40TM Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 400V N-CH MOSFET
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
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