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Technische Details FDD7N20TM onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.58 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD7N20TM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDD7N20TM | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.58 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD7N20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.58 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD7N20TM Produktcode: 201272 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDD7N20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD7N20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD7N20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| FDD7N20TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDD7N20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
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FDD7N20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
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| FDD7N20TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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