FDD8424H ON Semiconductor
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Technische Details FDD8424H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, MSL: -, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Verlustleistung, p-Kanal: 35W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, Dauer-Drainstrom Id: 9A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 3.1W, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD8424H nach Preis ab 0.93 EUR bis 3.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDD8424H | Hersteller : ONSEMI |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Power dissipation: 3.1W Gate charge: 20/24nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 20/20A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40/-40V Kind of transistor: complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20/±20V Semiconductor structure: common drain Case: TO252-4 On-state resistance: 37/80mΩ |
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FDD8424H | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active |
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FDD8424H | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
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FDD8424H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Anzahl der Pins: 5Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A MSL: - hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds: 40V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Verlustleistung, p-Kanal: 35W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm Dauer-Drainstrom Id: 9A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 3.1W SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD8424H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 35W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD8424H (Dual N & P-Channel) Produktcode: 165079 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDD8424H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD8424H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
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FDD8424H | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active |
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