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FDD86250-F085

FDD86250-F085 onsemi

fdd86250_f085-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details FDD86250-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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FDD86250-F085 FDD86250-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86250-F085 FDD86250-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86250-F085 FDD86250-F085 Hersteller : onsemi fdd86250_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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FDD86250-F085 FDD86250-F085 Hersteller : onsemi FDD86250_F085_D-2312165.pdf MOSFET NMOS DPAK 150V 22 MOHM
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FDD86250-F085 FDD86250-F085 Hersteller : ONSEMI 2620016.pdf Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
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FDD86250-F085 FDD86250-F085 Hersteller : ONSEMI 2620016.pdf Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
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FDD86250-F085 FDD86250-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86250-F085 FDD86250-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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