FDD86567-F085 ON Semiconductor
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Technische Details FDD86567-F085 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD86567-F085 nach Preis ab 1.84 EUR bis 5.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDD86567-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86567-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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FDD86567-F085 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V, 100A, 2.6mO, DPAK N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 1467 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDD86567-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD86567_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK |
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FDD86567_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK |
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FDD86567-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 227W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD86567-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86567-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86567-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86567-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 227W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDD86567_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK |
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FDD86567-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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FDD86567-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 227W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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