FDFME3N311ZT onsemi
Hersteller: onsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UMLP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details FDFME3N311ZT onsemi
Description: ONSEMI - FDFME3N311ZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.8 A, 0.235 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Power Trench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDFME3N311ZT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDFME3N311ZT | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDFME3N311ZT | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDFME3N311ZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.8 A, 0.235 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Power Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 534789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDFME3N311ZT | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |