Technische Details FDFS2P106A onsemi / Fairchild
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SO8, Mounting: SMD, Case: SO8, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Drain current: -3A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -60V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 192mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDFS2P106A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDFS2P106A | Hersteller : ONSEMI |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Drain current: -3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 192mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDFS2P106A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDFS2P106A | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC |
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FDFS2P106A | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC |
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FDFS2P106A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Drain current: -3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 192mΩ |
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