FDG6304P ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Technische Details FDG6304P ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDG6304P nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDG6304P | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.41A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6304P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDG6304P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SC70-6 P-CH -25V |
auf Bestellung 8135 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDG6304P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
auf Bestellung 9775 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDG6304P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 15583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6304P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |