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Technische Details FDG6308P onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: SC70-6; SC88; SOT363, On-state resistance: 0.8Ω, Power dissipation: 0.3W, Gate charge: 2.5nC, Polarisation: unipolar, Technology: PowerTrench®, Drain current: -0.6A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -20V, Type of transistor: P-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±8V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDG6308P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDG6308P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
auf Bestellung 5928 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDG6308P | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDG6308P | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SC88; SOT363 On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 0.3W Gate charge: 2.5nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -0.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDG6308P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDG6308P | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SC88; SOT363 On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 0.3W Gate charge: 2.5nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -0.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V |
Produkt ist nicht verfügbar |