FDG6332C

FDG6332C ON Semiconductor


fdg6332c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.24 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDG6332C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote FDG6332C nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.25 EUR
9000+ 0.22 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6332C FDG6332C Hersteller : onsemi fdg6332c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 57461 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+1.14 EUR
27+ 0.99 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDG6332C FDG6332C Hersteller : onsemi / Fairchild FDG6332C_D-2312483.pdf MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
auf Bestellung 8783 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
39+1.35 EUR
55+ 0.96 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.41 EUR
9000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 39
FDG6332C FDG6332C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013670044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C FDG6332C Hersteller : onsemi fdg6332c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar