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FDG8850NZ

FDG8850NZ onsemi


fdg8850nz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
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Technische Details FDG8850NZ onsemi

Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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FDG8850NZ FDG8850NZ Hersteller : onsemi fdg8850nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
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24+ 1.12 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDG8850NZ FDG8850NZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDG8850NZ_D-2312505.pdf MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
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50+ 1.05 EUR
100+ 0.78 EUR
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1000+ 0.49 EUR
3000+ 0.42 EUR
9000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDG8850NZ FDG8850NZ Hersteller : ONSEMI fdg8850nz-d.pdf Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG8850NZ FDG8850NZ Hersteller : ONSEMI fdg8850nz-d.pdf Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13835 Stücke:
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FDG8850NZ FDG8850NZ Hersteller : ON Semiconductor fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG8850NZ FDG8850NZ Hersteller : ONSEMI FDG8850NZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.44nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDG8850NZ FDG8850NZ Hersteller : ONSEMI FDG8850NZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.44nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
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