FDH055N15A ON Semiconductor
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Technische Details FDH055N15A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V, Power Dissipation (Max): 429W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V.
Weitere Produktangebote FDH055N15A nach Preis ab 6.46 EUR bis 20.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDH055N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FDH055N15A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Power dissipation: 429W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDH055N15A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Power dissipation: 429W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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FDH055N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V |
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FDH055N15A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDH055N15A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDH055N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDH055N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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