FDMA1032CZ onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.99 EUR |
6000+ | 0.94 EUR |
9000+ | 0.9 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMA1032CZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMA1032CZ nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMA1032CZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMA1032CZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMA1032CZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
auf Bestellung 19185 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMA1032CZ | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 17918 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMA1032CZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
FDMA1032CZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
FDMA1032CZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
FDMA1032CZ |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
FDMA1032CZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |