FDMA410NZ ON Semiconductor
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Technische Details FDMA410NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.
Weitere Produktangebote FDMA410NZ nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMA410NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
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FDMA410NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch |
auf Bestellung 290950 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDMA410NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET |
auf Bestellung 2051 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMA410NZ | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch |
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FDMA410NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
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FDMA410NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA410NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMA410NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.5A; 2.4W; WDFN6 Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Drain current: 9.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN6 On-state resistance: 32mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMA410NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
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FDMA410NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
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FDMA410NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET |
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| FDMA410NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.5A; 2.4W; WDFN6 Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Drain current: 9.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN6 On-state resistance: 32mΩ |
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