FDMC012N03 onsemi / Fairchild
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Technische Details FDMC012N03 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMC012N03 nach Preis ab 3.5 EUR bis 6.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FDMC012N03 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V |
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FDMC012N03 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDMC012N03 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC012N03 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC012N03 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 117A Pulsed drain current: 688A Power dissipation: 64W Case: Power33 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMC012N03 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V |
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| FDMC012N03 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 117A Pulsed drain current: 688A Power dissipation: 64W Case: Power33 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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