FDMC510P-F106 ON Semiconductor / Fairchild
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Technische Details FDMC510P-F106 ON Semiconductor / Fairchild
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -50A; 41W; MLP8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -18A, On-state resistance: 12mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 41W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 116nC, Technology: PowerTrench®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: -50A, Case: MLP8, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMC510P-F106
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMC510P-F106 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDMC510P-F106 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -50A; 41W; MLP8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -18A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 116nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -50A Case: MLP8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC510P-F106 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -50A; 41W; MLP8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -18A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 116nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -50A Case: MLP8 |
Produkt ist nicht verfügbar |