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Technische Details FDMC8030 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 14W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FDMC8030 nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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FDMC8030 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC8030 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
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FDMC8030 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET FPS |
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FDMC8030 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm Verlustleistung, p-Kanal: 14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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FDMC8030 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm Verlustleistung, p-Kanal: 14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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FDMC8030 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC8030 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
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| FDMC8030 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 14W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A Power dissipation: 14W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMC8030 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
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| FDMC8030 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 14W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A Power dissipation: 14W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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