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FDMC86102LZ

FDMC86102LZ ON Semiconductor

fdmc86102lz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details FDMC86102LZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V.

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FDMC86102LZ FDMC86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdmc86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86102LZ FDMC86102LZ Hersteller : onsemi fdmc86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
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FDMC86102LZ FDMC86102LZ Hersteller : onsemi fdmc86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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FDMC86102LZ FDMC86102LZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDMC86102LZ_D-2312303.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMC86102LZ FDMC86102LZ Hersteller : ONSEMI fdmc86102lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.019 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
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FDMC86102LZ FDMC86102LZ Hersteller : ONSEMI fdmc86102lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.019 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
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