FDMC86324 ON Semiconductor
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Technische Details FDMC86324 ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8, Power dissipation: 41W, Gate charge: 18nC, Polarisation: unipolar, Technology: PowerTrench®, Drain current: 20A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Case: PQFN8, On-state resistance: 40mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FDMC86324 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86324 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33 |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMC86324 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDMC86324 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86324 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86324 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8 Power dissipation: 41W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 20A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: PQFN8 On-state resistance: 40mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86324 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8 Power dissipation: 41W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 20A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: PQFN8 On-state resistance: 40mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
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