FDMD82100L

FDMD82100L onsemi / Fairchild


FDMD82100L_D-1807407.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET FET 100V 19.5 MOHM PQFN
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Technische Details FDMD82100L onsemi / Fairchild

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 38W, Case: PQFN12, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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FDMD82100L FDMD82100L Hersteller : onsemi FDMD82100L-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
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FDMD82100L Hersteller : ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMD82100L FDMD82100L Hersteller : onsemi FDMD82100L-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
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FDMD82100L Hersteller : ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38W
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Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
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