FDMS2672

FDMS2672 ON Semiconductor


fdms2672-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
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Technische Details FDMS2672 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V.

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FDMS2672 FDMS2672 Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
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FDMS2672 FDMS2672 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS2672_D-2312705.pdf MOSFET 200V N-Ch UltraFET
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FDMS2672 Hersteller : Fairchild ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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FDMS2672 Hersteller : FAIRCHILD ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 10+ MLP5
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FDMS2672 FDMS2672 Hersteller : ON Semiconductor fdms2672cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS2672 FDMS2672 Hersteller : ON Semiconductor fdms2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS2672 FDMS2672 Hersteller : ON Semiconductor fdms2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS2672 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13A; Idm: 96A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS2672 FDMS2672 Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
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FDMS2672 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13A; Idm: 96A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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