FDMS5672

FDMS5672 ON Semiconductor


fdms5672jp-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMS5672 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V.

Weitere Produktangebote FDMS5672 nach Preis ab 2.26 EUR bis 8.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+3.37 EUR
50+ 3.06 EUR
51+ 2.93 EUR
100+ 2.61 EUR
250+ 2.49 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 47
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+3.37 EUR
50+ 3.06 EUR
51+ 2.93 EUR
100+ 2.61 EUR
250+ 2.49 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 47
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS5672_D-2312801.pdf MOSFET 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+7.46 EUR
10+ 6.47 EUR
25+ 6.42 EUR
100+ 5.49 EUR
250+ 5.46 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+8.74 EUR
10+ 7.34 EUR
100+ 5.94 EUR
500+ 5.28 EUR
1000+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : ONSEMI FDMS5672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDMS5672 FDMS5672 Hersteller : ONSEMI FDMS5672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar