FDMS8460 ON Semiconductor
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
95+ | 1.66 EUR |
103+ | 1.37 EUR |
110+ | 1.24 EUR |
250+ | 0.99 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMS8460 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMS8460 nach Preis ab 1.71 EUR bis 6.71 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V |
auf Bestellung 22980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel Power Trench |
auf Bestellung 9812 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
FDMS8460 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |