FDMS86150

FDMS86150 ON Semiconductor


fdms86150jp-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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Technische Details FDMS86150 ON Semiconductor

Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.

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FDMS86150 FDMS86150 Hersteller : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150 FDMS86150 Hersteller : onsemi fdms86150-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
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FDMS86150 FDMS86150 Hersteller : onsemi fdms86150-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
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FDMS86150 FDMS86150 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS86150_D-2312585.pdf MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
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FDMS86150 FDMS86150 Hersteller : ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0039 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
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FDMS86150 FDMS86150 Hersteller : ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0039 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
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FDMS86150 FDMS86150 Hersteller : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150 FDMS86150 Hersteller : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150 Hersteller : ONSEMI fdms86150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS86150 Hersteller : ONSEMI fdms86150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhanced
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Type of transistor: N-MOSFET
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