FDMS86150 ON Semiconductor
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Technische Details FDMS86150 ON Semiconductor
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote FDMS86150 nach Preis ab 3.18 EUR bis 9.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMS86150 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
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FDMS86150 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V |
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FDMS86150 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V |
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FDMS86150 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET |
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FDMS86150 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0039 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
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FDMS86150 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0039 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
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FDMS86150 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
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FDMS86150 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
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FDMS86150 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
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FDMS86150 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
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FDMS86150 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8 Mounting: SMD Case: PQFN8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 187W Polarisation: unipolar Drain current: 90A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86150 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8 Mounting: SMD Case: PQFN8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 187W Polarisation: unipolar Drain current: 90A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ |
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