FDMS86200DC onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 10.56 EUR |
| 10+ | 8.86 EUR |
| 100+ | 7.17 EUR |
| 500+ | 6.37 EUR |
| 1000+ | 5.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMS86200DC onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Weitere Produktangebote FDMS86200DC nach Preis ab 5.95 EUR bis 10.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86200DC | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 9079 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86200DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 5191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86200DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 5191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86200DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86200DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86200DC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86200DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86200DC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |