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FDMS86350

FDMS86350 onsemi


fdms86350-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
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Technische Details FDMS86350 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMS86350 FDMS86350 Hersteller : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R
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26+ 5.57 EUR
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FDMS86350 FDMS86350 Hersteller : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86350 FDMS86350 Hersteller : onsemi fdms86350-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
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FDMS86350 FDMS86350 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS86350_D-2312621.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86350 FDMS86350 Hersteller : ONSEMI 2572533.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDMS86350 FDMS86350 Hersteller : ONSEMI 2572533.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDMS86350 FDMS86350 Hersteller : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86350 FDMS86350 Hersteller : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDMS86350 Hersteller : ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Drain current: 130A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FDMS86350 Hersteller : ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Drain current: 130A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8mΩ
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