FDMS86500L onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 2.85 EUR |
| 6000+ | 2.74 EUR |
| 9000+ | 2.65 EUR |
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Technische Details FDMS86500L onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm.
Weitere Produktangebote FDMS86500L nach Preis ab 3 EUR bis 6.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDMS86500L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V |
auf Bestellung 9482 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMS86500L | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 148-162 Tag (e) |
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FDMS86500L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm |
auf Bestellung 14998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86500L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm |
auf Bestellung 14998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86500L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMS86500L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMS86500L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMS86500L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 799A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDMS86500L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 799A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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