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Technische Details FDN302P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDN302P nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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FDN302P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN302P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDN302P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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FDN302P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V |
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FDN302P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V |
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FDN302P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V |
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FDN302P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDN302P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P Produktcode: 31343 |
Hersteller : Fairchild |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 20 Id,A: 2.4 Rds(on),Om: 0.055 Ciss, pF/Qg, nC: 882/9 /: SMD |
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FDN302P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDN302P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDN302P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |