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FDN304P

FDN304P ON Semiconductor

fdn304p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FDN304P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V.

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FDN304P FDN304P Hersteller : ON Semiconductor fdn304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN304P FDN304P Hersteller : onsemi FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
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FDN304P FDN304P Hersteller : ONSEMI FDN304P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 82
FDN304P FDN304P Hersteller : ONSEMI FDN304P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FDN304P FDN304P Hersteller : onsemi FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
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FDN304P FDN304P Hersteller : onsemi / Fairchild FDN304P_D-2312653.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V
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FDN304P FDN304P Hersteller : ON Semiconductor fdn304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN304P FDN304P Hersteller : ONSEMI 2298379.pdf Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
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FDN304P FDN304P Hersteller : ONSEMI 2298379.pdf Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
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FDN304P FDN304P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014832215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
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FDN304P Hersteller : UMW FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDN304P
Produktcode: 127609 		FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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FDN304P FDN304P Hersteller : ON Semiconductor fdn304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN304P FDN304P Hersteller : ON Semiconductor fdn304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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