Produkte > ONSEMI > FDN327N
FDN327N

FDN327N ONSEMI

FDN327N.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
250+0.29 EUR
275+ 0.26 EUR
370+ 0.19 EUR
395+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDN327N ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote FDN327N nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.16 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDN327N FDN327N Hersteller : ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
250+0.29 EUR
275+ 0.26 EUR
370+ 0.19 EUR
395+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 250
FDN327N FDN327N Hersteller : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.3 EUR
6000+ 0.29 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN327N FDN327N Hersteller : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 15161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+1.09 EUR
31+ 0.86 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN327N FDN327N Hersteller : onsemi / Fairchild FDN327N_D-2312561.pdf MOSFET N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
auf Bestellung 102029 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
45+1.16 EUR
60+ 0.87 EUR
100+ 0.54 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.31 EUR
9000+ 0.28 EUR
24000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 45
FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN327N FDN327N Hersteller : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 21382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN327N Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor fdn327n-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+0.36 EUR
21+ 0.31 EUR
100+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDN327N
Produktcode: 176408 		fdn327n-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar