Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDN335N
FDN335N

FDN335N ON Semiconductor

fdn335n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.2 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDN335N ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote FDN335N nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.2 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.21 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.17 EUR
45000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.21 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.17 EUR
45000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.29 EUR
6000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335N FDN335N Hersteller : onsemi FAIRS15854-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.35 EUR
6000+ 0.33 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
317+0.5 EUR
418+ 0.37 EUR
447+ 0.33 EUR
521+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
6000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 317
FDN335N FDN335N Hersteller : ONSEMI FDN335N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
136+0.53 EUR
222+ 0.32 EUR
306+ 0.23 EUR
324+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 136
FDN335N FDN335N Hersteller : ONSEMI FDN335N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
136+0.53 EUR
222+ 0.32 EUR
306+ 0.23 EUR
324+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 136
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
261+0.61 EUR
300+ 0.51 EUR
317+ 0.46 EUR
418+ 0.34 EUR
447+ 0.3 EUR
521+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 261
FDN335N FDN335N Hersteller : onsemi / Fairchild FDN335N_D-2312862.pdf MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 121265 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.06 EUR
58+ 0.9 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.34 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FDN335N FDN335N Hersteller : onsemi FAIRS15854-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 21518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.07 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor 2709873713769144fdn335n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335N FDN335N Hersteller : ONSEMI 2298243.pdf Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 48148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335N FDN335N Hersteller : ONSEMI 2298243.pdf Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 48148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335N FDN335N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335N Hersteller : ON-Semicoductor UMW%20FDN335N.pdf FAIRS15854-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor 2709873713769144fdn335n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN335N FDN335N Hersteller : UMW UMW%20FDN335N.pdf Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN335N FDN335N Hersteller : UMW UMW%20FDN335N.pdf Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar