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Technische Details FDN352AP ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDN352AP nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDN352AP | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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FDN352AP | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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FDN352AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V |
auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET |
auf Bestellung 233806 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V |
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FDN352AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
auf Bestellung 60719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
auf Bestellung 60719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN352AP | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |