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Technische Details FDN358P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDN358P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN358P | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH -30V |
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FDN358P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
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FDN358P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
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FDN358P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN358P | Hersteller : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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FDN358P Produktcode: 36466 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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FDN358P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN358P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN358P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN358P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.5W Gate charge: 5.6nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: -1.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDN358P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V |
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FDN358P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V |
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FDN358P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.5W Gate charge: 5.6nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: -1.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
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