FDN358P

FDN358P ON Semiconductor


fdn358p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FDN358P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V.

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FDN358P FDN358P Hersteller : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN358P FDN358P Hersteller : onsemi / Fairchild FDN358P_D-2312591.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
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FDN358P FDN358P Hersteller : ONSEMI 2304441.pdf Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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FDN358P FDN358P Hersteller : ONSEMI 2304441.pdf Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
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Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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FDN358P FDN358P Hersteller : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN358P Hersteller : ON-Semicoductor FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
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FDN358P FDN358P
Produktcode: 36466
FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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FDN358P FDN358P Hersteller : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN358P FDN358P Hersteller : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN358P FDN358P Hersteller : ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN358P FDN358P Hersteller : ONSEMI FDN358P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDN358P FDN358P Hersteller : onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
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FDN358P FDN358P Hersteller : onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
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FDN358P FDN358P Hersteller : ONSEMI FDN358P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
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